[发明专利]非易失性半导体存储器件有效
| 申请号： | 200810161780.2 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101399291A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 安田直树 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/51;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储器件，包括在第一绝缘膜上的电荷存储层，设置在电荷存储层上、由多个层形成的第二绝缘膜，以及在第二绝缘膜上的控制栅极。该第二绝缘膜包括设置在电荷存储层上方的底层(A)、设置在控制栅极下方的顶层(C)、以及设置在底层(A)与顶层(C)之间的中间层(B)。中间层(B)具有比底层(A)和顶层(C)两者更高的势垒高度和更低的介电常数。中间层(B)的平均配位数比顶层(C)的平均配位数和底层(A)的平均配位数都小。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1. 一种非易失性半导体存储器件，包括：在半导体衬底上的彼此分开的源极/漏极层；在源极/漏极层之间的沟道；在沟道上的第一绝缘膜；在第一绝缘膜上的电荷存储层；设置在电荷存储层上、由多个层形成的第二绝缘膜；以及在第二绝缘膜上的控制栅极，其中该第二绝缘膜包括设置在电荷存储层上方的底层(A)、设置在控制栅极下方的顶层(C)、以及设置在底层(A)与顶层(C)之间的中间层(B)，中间层(B)具有比底层(A)和顶层(C)两者更高的势垒高度和更低的介电常数，以及中间层(B)的平均配位数比顶层(C)的平均配位数小，中间层(B)的平均配位数比底层(A)的平均配位数小。
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