[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。以往的保护二极管有击穿特性不陡峭、不能获得作为恒压二极管的良好特性的问题。而且，由于保护二极管的大部分是用不同于MOS晶体管的工序形成，所以有无法削减工序数目以及成本的问题。为了解决该问题，本发明在与MOS晶体管相同的单晶衬底上以环状设置p-型杂质区域、n+型杂质区域而形成npn结。在设置多个npn结的情况下，将它们分别隔开而形成同心圆的环状。由于击穿特性变得陡峭，所以能够获得良好的恒压二极管特性。而且，由于能够利用MOS晶体管的制造工艺来形成，所以有助于实现工序合理化、成本的降低。进而，根据耐压来选择npn结的数目，由此，耐压的控制也更容易。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：纵向MOS晶体管，其设置在一导电型单晶半导体衬底上；保护元件，其具有在所述基板表面呈环状扩散杂质的逆导电型杂质区域和在所述逆导电型杂质区域内以与该区域呈同心圆的环状扩散杂质的第一以及第二一导电型杂质区域；所述保护元件的所述第一以及第二一导电型杂质区域分别与所述MOS晶体管的源极电极和栅极电极连接。