[发明专利]制造半导体光电元件的方法及其制造过程中回收基板的方法无效
| 申请号： | 200810147015.5 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101651176A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 陈敏璋;徐文庆;何思桦 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰硅晶有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 孙 刚 |
| 地址： | 215300江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造一半导体光电元件的方法及其制造过程中回收基板的方法。该方法首先制备一基板。接着，该方法形成一缓冲层于该基板上。然后，该方法形成一多层结构于该缓冲层上。该多层结构包含一作用区。该缓冲层辅助该多层结构的最底层的形成并且作为一剥离层。最后，通过一蚀刻液仅蚀刻该剥离层以使该基板由该多层结构脱离，其中该多层结构作为该半导体光电元件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 光电 元件 方法 及其 过程 回收 | ||
【主权项】：
1.一种制造一半导体光电元件的方法，该方法包含下列步骤：制备一基板；形成一缓冲层于该基板上；形成一多层结构于该缓冲层上，该多层结构包含一作用区并且该缓冲层辅助该多层结构的最底层的形成，该缓冲层还作为一剥离层；以及通过一蚀刻液仅蚀刻该剥离层以使该基板由该多层结构脱离，其中该多层结构作为该半导体光电元件。
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