[发明专利]制造半导体光电元件的方法及其制造过程中回收基板的方法

权利要求书

1.一种制造一半导体光电元件的方法，该方法包含下列步骤：

制备一基板；

形成一缓冲层于该基板上；

形成一多层结构于该缓冲层上，该多层结构包含一作用区并且该缓冲层辅助该多层结构的最底层的形成，该缓冲层还作为一剥离层；以及

通过一蚀刻液仅蚀刻该剥离层以使该基板由该多层结构脱离，其中该多层结构作为该半导体光电元件。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该缓冲层由氧化锌或氧化锌镁所形成。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该最底层由氮化镓、氮化铟镓及氮化铝镓中的其中一种材料所形成。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该蚀刻液是一氢氟酸溶液、盐酸溶液及硝酸溶液中的一种溶液。

5.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该缓冲层由一溅镀制程、一有机金属化学气相沉积制程、一原子层沉积制程、一电浆增强原子层沉积制程及一电浆辅助原子层沉积制程中的其中一种制程形成。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，该最底层由一有机金属化学气相沉积制程或一氢化物气相沉积制程所形成。

7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该缓冲层的厚度范围从10nm至500nm。

8.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该基板由蓝宝石、硅、SiC、GaN、ZnO、ScAlMgO₄、YSZ(Yttria-Stabilized Zirconia)、SrCu₂O₂、LiGaO₂、LiAlO₂、GaAs中的其中一种材料形成。

9.一种于制造一半导体光电元件的过程中回收一基板的方法，该半导体光电元件包含该基板、形成于该基板上的一缓冲层以及形成于该缓冲层上的一多层结构，该多层结构包含一作用区，该缓冲层辅助该多层结构的最底层的形成并且作为一剥离层，该方法包含下列步骤：

通过一蚀刻液，仅蚀刻该剥离层以使该基板由该多层结构脱离并且进一步回收该基板。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该缓冲层是由氧化锌或氧化锌镁所形成。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该最底层由氮化镓、氮化铟镓及氮化铝镓中的其中一种形成。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该蚀刻液是一氢氟酸溶液、盐酸溶液及硝酸溶液中的一种溶液。

13.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该缓冲层由一溅镀制程、一有机金属化学气相沉积制程、一原子层沉积制程、一电浆增强原子层沉积制程及一电浆辅助原子层沉积制程中的其中一种制程形成。

14.如权利要求11所述的方法，其特征在于，该最底层由一有机金属化学气相沉积制程或一氢化物气相沉积制程所形成。

15.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该缓冲层的厚度范围从10nm至500nm。

16.如权利要求10所述的方法，其特征在于，该基板是由蓝宝石、硅、SiC、GaN、ZnO、ScAlMgO₄、YSZ(Yttria-Stabilized Zirconia)、SrCu₂O₂、LiGaO₂、LiAlO₂和GaAs中的其中一种材料形成。