[发明专利]制造半导体光电元件的方法及其制造过程中回收基板的方法

说明书

技术领域

本发明关于一种制造一半导体光电元件(semiconductor optoelectronicdevice)及于制造该半导体光电元件的过程中回收一基板的方法。

背景技术

现今半导体发光元件(例如，发光二极体)的应用领域已甚为广泛，例如照明以及遥控领域等，皆见到半导体发光元件被广泛地应用。

请参阅图1。图1显示了传统的半导体发光元件1。半导体发光元件1包含一基板10、一多层结构12、一第一电极14及一第二电极16。需注意的是，为了使半导体发光元件1能够运作，该第一电极14形成于该多层结构12的一最顶层上，该第二电极16形成于部份蚀刻后的该多层结构12上。

然而，由于该第一电极14及该第二电极16并不能设置在同一垂直方向上，所以一个晶粒的半导体发光元件所需耗费的材料较多。若该基板10于制造半导体发光元件1的过程中能够与多层结构12的一最底层(例如，氮化镓半导体材料层)脱离，并且该第二电极16能形成于该最底层的表面上(例如，该第一电极14及该第二电极16均设置在同一垂直方向上)，原本一个晶粒的半导体发光元件1大致上就能制造出两个半导体发光元件1。

另外，半导体发光元件1目前大部份在蓝宝石基板10上磊晶制成，长期下来势必造成蓝宝石基板10的材料短缺。因此，若能于制造该半导体光电元件1的过程中回收蓝宝石基板10进行再利用，将可以有效地利用蓝宝石基板10及节省成本。

于现有技术中，半导体光电元件1可以被一雷射光照射，并且半导体光电元件1中的一剥离层(未显示于图1中)可以吸收该雷射光的能量而被分解，造成基板10与半导体光电元件1脱离。然而，此种方法需耗费较大的成本，因此于实际应用中是非常不利的。

因此，本发明的主要目的在于提供一种制造一半导体光电元件及于制造该半导体光电元件的过程中回收一基板的方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种制造一半导体光电元件及于制造该半导体光电元件的过程中回收一基板的方法。

根据本发明的一具体实施例为一种制造一半导体光电元件的方法。该方法首先制备一基板(substrate)。接着，该方法形成一缓冲层(buffer layer)于该基板上。之后，该方法形成一多层结构(multi-layer structure)于该缓冲层上。该多层结构包含一作用区(active region)。该缓冲层辅助该多层结构的一最底层(bottom-most layer)的形成并且作为一剥离层。最后，通过一蚀刻液仅蚀刻该剥离层以使该基板由该多层结构脱离，其中该多层结构作为该半导体光电元件。

根据本发明的另一具体实施例为一种于制造一半导体光电元件的过程中回收一基板的方法。该半导体光电元件包含该基板、形成于该基板上的一缓冲层以及形成于该缓冲层上的一多层结构。该多层结构包含一作用区。该缓冲层辅助该多层结构的一最底层的形成并且作为一剥离层。

该方法通过一蚀刻液仅蚀刻该剥离层以使该基板由该多层结构脱离并且进一步回收该基板。

相比现有技术，根据本发明的制造方法能够通过该蚀刻液仅蚀刻该剥离层以使该基板由该多层结构脱离，其中该多层结构可进一步被处理并且作为该半导体光电元件。此外，该基板由该多层结构脱离后，该基板可进一步被回收以达到节省成本及原料的目的。

关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及附图得到进一步的了解。

附图说明

图1显示了传统的半导体发光元件。

图2A至图2F显示了根据本发明的一具体实施例的制造一半导体光电元件的方法的截面视图。

图3A及图3B显示了根据本发明的另一具体实施例的一种于制造一半导体光电元件的过程中回收一基板的方法。

具体实施方式

请参阅图2A至图2F，图2A至图2F显示了根据本发明的一具体实施例的制造一半导体光电元件的方法的截面视图。于此实施例中，该半导体光电元件是以一半导体发光元件(例如，发光二极体)为例。于实际应用中，该半导体光电元件并不以该半导体发光元件为限。

首先，如图2A所示，该方法制备一基板20。