[发明专利]半导体元件、显示装置、光电装置及上述的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件、显示装置、光电装置及上述的制造方法，其中，制造方法包括于基板上形成一P型金属氧化物半导体元件及一N型金属氧化物半导体元件。其中，P型金属氧化物半导体元件包括第一岛状多晶硅、一覆盖于第一岛状多晶硅上的栅绝缘层以及一位于栅绝缘层上的第一栅极。此外，P型金属氧化物半导体元件的制造方法包括：对第一岛状多晶硅进行P型离子注入，以形成多个P型重掺杂区及多个P型轻掺杂区，其中沟道区的距离实质上小于3微米，且P型轻掺杂区至少其中一者的距离实质上为沟道区的距离的10％至80％。P型轻掺杂区改善P型金属氧化物半导体元件的短沟道效应。

主权项

1、一种半导体元件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：于一基板上形成一P型金属氧化物半导体元件以及一N型金属氧化物半导体元件，其中所述P型金属氧化物半导体元件包括一第一岛状多晶硅、一覆盖于所述第一岛状多晶硅上的栅绝缘层以及一位于所述栅绝缘层上的第一栅极，而所述第一栅极位于所述第一岛状多晶硅上方，所述P型金属氧化物半导体元件的制造方法包括：于所述栅绝缘层与所述第一栅极上形成一第一图案化光刻胶层，且所述第一图案化光刻胶层具有多个第一开口；以所述第一图案化光刻胶层为光掩膜，对所述第一岛状多晶硅进行P型离子注入，以于所述多个第一开口下方的部分所述第一岛状多晶硅中形成多个P型重掺杂区；移除部分的所述第一图案化光刻胶层，以形成一具有多个第二开口的第二图案化光刻胶层，且各所述第二开口的尺寸实质上大于各所述第一开口的尺寸；以及以所述第一栅极与所述第二图案化光刻胶层为光掩膜，对所述第一岛状多晶硅进行P型离子注入，以于所述多个第二开口下方的另一部分所述第一岛状多晶硅中形成多个P型轻掺杂区，而位于所述第一栅极下方的所述第一岛状多晶硅则当作一沟道区，以使得所述沟道区位于所述多个P型重掺杂区与所述多个P型轻掺杂区之间，其中所述沟道区的距离实质上小于3微米，且所述多个P型轻掺杂区至少其中一者的距离实质上为所述沟道区的10％至80％。