[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810135683.6 | 申请日： | 2008-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101527280A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 陈鼎元;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/84;H01L21/336;H01L27/088;H01L27/092;H01L27/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，该方法包括下列步骤：提供半导体基底，该半导体基底包含第一区及第二区；形成第一MOS元件，包括：于该半导体基底的该第一区上形成第一硅锗材料层；于该第一硅锗材料层上形成硅材料层；于该硅材料层上形成第一栅极介电层；以及图案化该第一栅极介电层以形成第一栅极介电结构。该方法还包括形成第二MOS元件，包括：于半导体基底的第二区上形成第二硅锗材料层；于第二硅锗材料层上形成第二栅极介电层，第二MOS元件中的第二硅锗材料层及第二栅极介电层之间不具有大体上的纯硅材料层；及图案化第二栅极介电层以形成第二栅极介电结构。本发明能增进NMOS元件的驱动电流并降低PMOS元件的漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的制造方法，包括下列步骤：提供半导体基底，该半导体基底包含第一区及第二区；形成第一MOS元件，包括：于该半导体基底的该第一区上形成第一硅锗材料层；于该第一硅锗材料层上形成硅材料层；于该硅材料层上形成第一栅极介电层；以及图案化该第一栅极介电层以形成第一栅极介电结构；以及形成第二MOS元件，包括：于该半导体基底的该第二区上形成第二硅锗材料层；于该第二硅锗材料层上形成第二栅极介电层，其中该第二MOS元件中的该第二硅锗材料层及该第二栅极介电层之间并不具有大体上的纯硅材料层；以及图案化该第二栅极介电层以形成第二栅极介电结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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