[发明专利]非易失性半导体存储器件无效
| 申请号： | 200810125335.0 | 申请日： | 2008-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101330108A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 菊地祥子;高岛章;安田直树;村冈浩一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L29/792;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭放 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，包括：第1导电类型的半导体区域；在半导体区域内相互离开配置的第2导电类型的扩散区；配置在扩散区之间的沟道区域上的隧道绝缘膜；配置在隧道绝缘膜上的浮置栅电极；配置在浮置栅电极上的电极间绝缘体；以及配置在电极间绝缘体上的控制栅电极。电极间绝缘体包含镧系金属Ln、铝Al、以及氧O，镧系金属和铝的组成比Ln/(Al+Ln)取0.33至0.39的范围内的值。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器件，包括：第1导电类型的半导体区域；在半导体区域内相互离开配置的第2导电类型的扩散区；配置在扩散区之间的沟道区域上的隧道绝缘膜；配置在隧道绝缘膜上的浮置栅电极；配置在浮置栅电极上的电极间绝缘体；以及配置在电极间绝缘体上的控制栅电极，其中，电极间绝缘体包含镧系金属Ln、铝Al、以及氧O，镧系金属和铝的组成比Ln/(Al+Ln)取0.33至0.39的范围内的值。
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