[发明专利]半导体集成电路器件无效
申请号: | 200810110130.5 | 申请日: | 2008-06-10 |
公开(公告)号: | CN101572264A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 加藤圭 | 申请(专利权)人: | 株式会社瑞萨科技 |
主分类号: | H01L27/112 | 分类号: | H01L27/112;H01L23/522;G11C17/12 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在其中具有易失性存储器的半导体集成电路器件中,实现高速操作,并且可以提高存储密度。易失性存储器包括字线、具有位线的互补位线、多个共源线以及与字线和互补位线连接的存储单元。存储单元包括晶体管。晶体管的栅电极与字线连接,并且晶体管之一的漏电极与位线之一连接。另一晶体管的漏电极与另一位线连接。晶体管的各源电极与共源线的任一个连接,或者处于浮接状态,从而在存储单元中存储存储信息。 | ||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】:
1.一种半导体集成电路器件,包括:字线;包括第一和第二位线的互补位线;两个或更多N个共源线;以及存储单元,其与所述字线和所述互补位线连接;其中所述存储单元包括第一和第二晶体管,其中所述第一和第二晶体管的栅极与所述字线连接,其中所述第一晶体管的源极或漏极与所述第一位线连接;其中所述第二晶体管的源极或漏极与所述第二位线连接;其中所述第一和第二晶体管中与位线连接的源极或漏极不同的源极或漏极,与第一和N个共源线的任一个连接,或者处于浮接状态,以在所述存储单元中存储存储信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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