[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810098334.1 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101312214A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 郑泰雄 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L29/49;H01L27/115;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用MPS工艺实现闪存多晶硅浮栅的方法，包括在半导体衬底的有源区上形成隧道氧化层；然后在该隧道氧化层上并接触该隧道氧化层形成第一浮栅；然后在该第一浮栅上并接触第一浮栅形成第二和第三浮栅，其中第二和第三浮栅相对于第一浮栅垂直延伸；然后在第一、第二和第三浮栅上形成多亚稳态多晶硅层；然后在包括多亚稳态多晶硅层的半导体衬底上形成控制栅。因此，与平浮栅相比，它可以通过有限的面积增加电容器的表面积。从而，可以提高对闪存装置很重要的耦合器的分光比并提高半导体装置的产量和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：在半导体衬底上形成的U-形浮栅；在所述U-形浮栅上形成的多亚稳态多晶硅层；在所述亚稳态多晶硅层上形成的介电层；以及在包括所述介电层的所述半导体衬底的整个表面上形成的控制栅。
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