[发明专利]氮化镓基半导体发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200810095054.5 | 申请日： | 2006-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101271952A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 高健维;吴邦元;闵垘基;朴亨镇;黄硕珉 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN基半导体LED及其制造方法。该GaN基半导体LED可以具有改进的蓝宝石衬底散热能力，从而避免了由热量引起的器件性能退化，并提高了器件的发光效率。在GaN基半导体LED中，蓝宝石衬底具有形成在其下部的至少一个凹槽。具有高于蓝宝石衬底的热传导率的热传导层形成在蓝宝石衬底的底面，以填充凹槽。n型氮化物半导体层形成在蓝宝石衬底上，而且活性层和p型氮化物半导体层顺序形成在n型氮化物半导体层的预定部分上。P电极和n电极分别形成在p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层上。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基半导体LED，包括：蓝宝石衬底，具有形成在其下部的至少一个凹槽；反射层，形成在所述蓝宝石衬底的底面上，以填充所述凹槽，所述反射层具有高于所述蓝宝石衬底的反射率；n型氮化物半导体层，形成在所述蓝宝石衬底上；活性层和p型氮化物半导体层，顺序形成在所述n型氮化物半导体层的预定部分上；以及p电极和n电极，分别形成在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层上。
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