[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810092962.9 | 申请日： | 2008-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101290914A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 中岛启一 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/498;H01L21/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;郇春艳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种COF及其制造方法，其可通过利用简单结构有效地散热。一种COF的半导体器件，其形成在不具有器件孔的挠性衬底的主表面之上，并且其中半导体芯片安装在内引线互连之上，其特征在于：在所述挠性衬底的第二表面之上并且对应于半导体芯片的位置处形成树脂层，所述第二表面是安装半导体芯片的一侧的相对侧。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体芯片，安装在不具有器件孔的挠性衬底的第一表面之上，其中，在所述挠性衬底的第二表面之上并且对应于所述半导体芯片的位置处形成树脂层，所述第二表面与安装半导体芯片的一侧相对。
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