[发明专利]半导体集成电路及其相位补偿用电容的电容值调整方法有效
| 申请号： | 200810086537.9 | 申请日： | 2008-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101266275A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 阿川谦一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路及其相位补偿用电容的电容值调整方法，该半导体集成电路具有：放大电路，其包含相位补偿用电容并具有反馈环路；以及稳定性判定调整电路，其对预定的频率下的所述放大电路的输出电压的振幅进行测定，根据所述振幅之比对所述相位补偿用电容的电容值进行调整。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 及其 相位 补偿 用电 电容 调整 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，其特征在于具有：放大电路，其包含相位补偿用电容并具有反馈环路；以及稳定性判定调整电路，其对预定的多个频率下的所述放大电路的输出电压的振幅进行测定，根据所述振幅之比对所述相位补偿用电容的电容值进行调整。
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