[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200810082599.2 | 申请日： | 2008-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101261973A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 三角和幸;畑内和士;高田泰纪;安田直世;新川秀之;福留胜幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/495 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于得到可防止内部引线的表面摩擦而出现伤痕的半导体装置。在下垫板(13)的周围设置多个内部引线(14)。在下垫板(13)与多个内部引线(14)之间的区域设置有接地的GND引线(16)。半导体芯片(17)与多个内部引线(14)分别被多个导线(21)连接。半导体芯片(17)与GND引线(16)被GND导线(22)连接。GND导线(22)配置在多个导线(21)之间。邻接的内部引线(14)的前端的间隔为0.2mm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：下垫板；多个内部引线，设置在所述下垫板的周围；设置在所述下垫板和所述多个内部引线之间的区域并且接地的GND引线；安装在所述下垫板上的半导体芯片；多个导线，分别连接所述半导体芯片上的多个焊盘和所述多个内部引线；GND导线，配置在所述多个导线之间，连接所述半导体芯片上的焊盘和所述GND引线，邻接的内部引线的前端的间隔为0.2mm以下。
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