[发明专利]暗场图形硅片检测机台获得缺陷尺寸的方法有效
| 申请号： | 200810043904.7 | 申请日： | 2008-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN101726252A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 江月华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G01B11/02 | 分类号： | G01B11/02;G01B11/28 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 顾继光 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种暗场图形硅片检测机台获得缺陷尺寸的方法，包括如下步骤：第1步，选择测试样片，所述测试样片是仅具有一种空白薄膜的硅片；第2步，分别在暗场光硅片检测机台和暗场图形硅片检测机台对所述测试样品的表面缺陷进行检测，检测结果均生成KRF格式的文件；第3步，找出两份检测结果中的不同尺寸的多个重复缺陷；第4步，根据所述不同尺寸的多个重复缺陷在暗场光硅片检测机台的检测结果中的缺陷尺寸，以及在暗场图形硅片检测机台的检测结果中的缺陷面积，确定两者之间的函数；第5步，暗场图形硅片检测机台对具有同一种薄膜的有图形硅片进行表面缺陷检测时，利用所述函数将检测结果中的缺陷面积转换为缺陷尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 暗场 图形 硅片 检测 机台 获得 缺陷 尺寸 方法 | ||
【主权项】：
一种暗场图形硅片检测机台获得缺陷尺寸的方法，其特征是：所述方法包括如下步骤：第1步，选择测试样片，所述测试样片是仅具有一种空白薄膜的硅片；第2步，分别在暗场光硅片检测机台和暗场图形硅片检测机台对所述测试样品的表面缺陷进行检测，检测结果均生成KRF格式的文件；第3步，找出两份检测结果中的不同尺寸的多个重复缺陷；第4步，根据所述不同尺寸的多个重复缺陷在暗场光硅片检测机台的检测结果中的缺陷尺寸，以及在暗场图形硅片检测机台的检测结果中的缺陷面积，确定该种薄膜膜质下暗场光硅片检测机台的检测结果中的缺陷尺寸和暗场图形硅片检测机台的检测结果中的缺陷面积之间的函数；第5步，暗场图形硅片检测机台对具有同一种薄膜的有图形硅片进行表面缺陷检测时，利用所述函数将检测结果中的缺陷面积转换为缺陷尺寸。
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