[发明专利]暗场图形硅片检测机台获得缺陷尺寸的方法

权利要求书

1.一种暗场图形硅片检测机台获得缺陷尺寸的方法，其特征是：所述 方法包括如下步骤：

第1步，选择测试样片，所述测试样片是仅具有一种空白薄膜的硅片；

第2步，分别在暗场光硅片检测机台和暗场图形硅片检测机台对所述 测试样片的表面缺陷进行检测，检测结果均生成KRF格式的文件；

第3步，找出两份检测结果中的不同尺寸的多个重复缺陷；

第4步，根据所述不同尺寸的多个重复缺陷在暗场光硅片检测机台的 检测结果中的缺陷尺寸，以及在暗场图形硅片检测机台的检测结果中的缺 陷面积，确定该种薄膜膜质下暗场光硅片检测机台的检测结果中的缺陷尺 寸和暗场图形硅片检测机台的检测结果中的缺陷面积之间的函数；

第5步，暗场图形硅片检测机台对具有同一种薄膜的有图形硅片进行 表面缺陷检测时，利用所述函数将检测结果中的缺陷面积转换为缺陷尺寸。

2.一种暗场图形硅片检测机台获得缺陷尺寸的方法，其特征是：

第1步，选择多个测试样片，所述测试样片是仅具有一种空白薄膜的 硅片，每个测试样片具有不同膜质的空白薄膜；

第2步，分别在暗场光硅片检测机台和暗场图形硅片检测机台对所述 测试样片的表面缺陷进行检测，检测结果均生成KRF格式的文件；

第3步，找出两份检测结果中的不同尺寸的多个重复缺陷；

第4步，根据所述不同尺寸的多个重复缺陷在暗场光硅片检测机台的 检测结果中的缺陷尺寸，以及在暗场图形硅片检测机台的检测结果中的缺 陷面积，确定不同薄膜膜质下暗场光硅片检测机台的检测结果中的缺陷尺 寸和暗场图形硅片检测机台的检测结果中的缺陷面积之间的函数；

第5步，暗场图形硅片检测机台对有图形硅片进行表面缺陷检测时， 根据所述有图形硅片的薄膜膜质选择对应薄膜膜质下的函数将检测结果中 的缺陷面积转换为缺陷尺寸。

3.一种暗场图形硅片检测机台获得缺陷尺寸的方法，其特征是：

第1步，选择多个测试样片，所述测试样片是仅具有一种空白薄膜的 硅片，每个测试样片具有不同膜质和/或不同厚度的空白薄膜；

第2步，分别在暗场光硅片检测机台和暗场图形硅片检测机台对所述 测试样片的表面缺陷进行检测，检测结果均生成KRF格式的文件；

第3步，找出两份检测结果中的不同尺寸的多个重复缺陷；

第4步，根据所述不同尺寸的多个重复缺陷在暗场光硅片检测机台的 检测结果中的缺陷尺寸，以及在暗场图形硅片检测机台的检测结果中的缺 陷面积，确定不同薄膜膜质和厚度下暗场光硅片检测机台的检测结果中的 缺陷尺寸和暗场图形硅片检测机台的检测结果中的缺陷面积之间的函数；

第5步，暗场图形硅片检测机台对有图形硅片进行表面缺陷检测时， 根据所述有图形硅片的薄膜膜质和厚度选择对应薄膜膜质和厚度下的函数 将检测结果中的缺陷面积转换为缺陷尺寸。

4.根据权利要求1、2或3所述的暗场图形硅片检测机台获得缺陷尺寸 的方法，其特征是：所述函数为对数函数或指数函数。