[发明专利]一种双重图形曝光工艺有效
| 申请号： | 200810039408.4 | 申请日： | 2008-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN101303525A | 公开（公告）日： | 2008-11-12 |
| 发明（设计）人： | 胡红梅;姚树歆 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/38;G03F7/30;G03F7/26;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种双重图形曝光工艺，涉及集成电路工艺技术领域。该工艺使用一种可溶于显影液的填充材料，采用多次涂布和烘烤来实现沟槽的填充，并且依靠多次显影工艺移除表面多余的填充材料。与现有技术相比，本发明提供的利用可显影填充材料的双重图形曝光工艺，提高了光刻胶涂布后硅片的平坦度，减轻了沟槽填充步骤对后续光刻工艺中套刻精度和焦深等带来的不良影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双重 图形 曝光 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种双重图形曝光工艺，用于在晶圆上印制更加密集的图形，其特征在于，所述双重图形曝光工艺包括：在硬掩膜材料表面第一次涂布光刻胶、进行第一次光刻和第一次刻蚀步骤，刻蚀后在硬掩膜材料上形成沟槽，完成第一次图形的印制；在所述沟槽中填充可溶于显影液的填充材料；去除硬掩膜表面多余的填充材料；第二次涂布光刻胶，进行第二次光刻和第二次刻蚀步骤，形成第二次图形；清洗后在硬掩膜材料中得到双重曝光图形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810039408.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钢质材料用低表面处理的带锈防锈底漆及制造方法
- 下一篇：鼻炎胶囊
