[发明专利]大功率金属半导体场效应发光晶体管无效
| 申请号： | 200810028451.0 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101290961A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;郭志友;赵华雄;高小奇;曾坤;张建中;范广涵 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510630广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率金属半导体场效应发光晶体管，其特征在于在外延片的衬底上包括中心区的n型电子发射层，边缘区的n型电子发射层，n型电子发射层的中心区与边缘区之间是闭合的栅极区，中心区的n型电子发射层上面生长着量子阱层，量子阱层上生长着p型空穴产生层，p型空穴产生层的上面设置着漏极，在n型电子发射层的边缘区上设置着源极，栅极区上面设置着栅极。本发明增加电流控制区——栅极区，从而使发光晶体管的电流可控，可以实现高电流。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 金属 半导体 场效应 发光 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种大功率金属半导体场效应发光晶体管，其特征在于在外延片的衬底(7)上包括中心区的n型电子发射层(9)，边缘区的n型电子发射层(6)，n型电子发射层的中心区(9)与边缘区(6)之间是闭合的栅极区(8)，中心区的n型电子发射层(9)上面生长着量子阱层(5)，量子阱层(5)上生长着p型空穴产生层(4)，p型空穴产生层(4)的上面设置着漏极(3)，在n型电子发射层的边缘区(6)上设置着源极(1)，栅极区(8)上面设置着栅极(2)。
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