[发明专利]双功函数半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 200810003129.2 | 申请日： | 2008-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN101221922A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张守仁;于洪宇;卫罗索·安那贝拉;傅莉塔;辜伯克·史蒂芬;贝思曼·斯基;辛葛马拉·瑞休纳;劳斯·安妮;杨希亚·巴特 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/84;H01L27/092;H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种双功函数半导体装置及其制造方法，该制造方法包括在基底的第一区域上形成第一装置以及在该基底的第二区域上形成第二装置，包括下列步骤：在该基底的该第一区域与该第二区域上形成介电层，在该第一区域内与该第二区域内的该介电层同时沉积而成；以及提供栅电极在该第一区域与该第二区域的该介电层之上，位于该第一区域内与该第二区域内的该栅电极同时沉积而成。该双功函数半导体装置的制造方法还包括形成上盖层于该第一区域上并介于该介电层与该栅电极之间，以改变该第一区域内的该第一装置的功函数；以及注入杂质于该栅介电层与该栅电极间的界面处，以改变该第二区域内的该第二装置的功函数。本发明能够简化工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 函数 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双功函数半导体装置的制造方法，包括下列步骤：在基底的第一区域上形成第一装置以及在该基底的第二区域上形成第二装置，包括下列步骤：在该基底的该第一区域与该第二区域上形成介电层，在该第一区域内的该介电层以及在该第二区域内的该介电层同时沉积而成；以及提供栅电极于该第一区域与该第二区域的该介电层之上，位于该第一区域内的该栅电极与位于该第二区域内的该栅电极同时沉积而成；形成上盖层于该第一区域上并介于该介电层与该栅电极之间，以改变该第一区域内的该第一装置的功函数；以及注入杂质于该栅介电层与该栅电极间的界面处，以改变该第二区域内的该第二装置的功函数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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