[发明专利]具有包括银的互连的半导体结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200780044270.0 | 申请日： | 2007-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101584037A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | C·施特雷克;V·卡勒特 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程 伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种形成半导体结构的方法，包括提供半导体衬底，该半导体衬底包括一层介电材料(210)。凹部(recess)设置在该层介电材料中。该凹部系以包括银(216)的材料所填充，并可能通过铑(214)、(217)包覆。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包括 互连 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体结构(200)的方法，包括：提供半导体衬底(201)，该半导体衬底包括介电材料的层(210)，凹部设置在该介电材料的层(210)之中；以及以包括银的材料填充该凹部。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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