[发明专利]硅系薄膜和硅系薄膜的形成方法有效
| 申请号： | 200780022462.1 | 申请日： | 2007-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101473064A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 山下雅充;岩出卓;田口贡士;山崎光生 | 申请（专利权）人： | 东丽工程株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/42 | 分类号： | C23C16/42;B32B9/00;H01L51/50;H05B33/04;H05B33/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供硅系薄膜和硅系薄膜的形成方法，该硅系薄膜和该硅系薄膜的形成方法不会对形成于基板上的电子器件造成损害且装置构成不会变得庞大，并且能够改善硅系薄膜在基板上的密合性，不易生成裂纹和剥离。本发明的硅系薄膜的形成方法是通过CVD法在基板(K)上形成具有绝缘功能或阻隔功能的硅系薄膜的硅系薄膜形成方法，该方法包括如下步骤：使用含有氢元素的气体和含有硅元素的气体在所述基板(K)上通过等离子体CVD法形成第1薄膜(11)的步骤；使用含有氮元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第2薄膜(12)的步骤；和使用含有氧元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体CVD法形成第3薄膜(13)的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种硅系薄膜的形成方法，该形成方法是通过化学气相沉积法在基板上形成具有绝缘功能或阻隔功能的硅系薄膜的硅系薄膜形成方法，该方法的特征在于包括如下步骤：使用含有氢元素的气体和含有硅元素的气体在所述基板上通过等离子体化学气相沉积法形成第1薄膜的步骤；使用含有氮元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体化学气相沉积法形成第2薄膜的步骤；和使用含有氧元素的气体和含有硅元素的气体通过等离子体化学气相沉积法形成第3薄膜的步骤。
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- 在使用等离子体处理装置，利用微波使导入处理室内的含氮气体和含硅气体等离子体化，通过该等离子体在被处理基板表面堆积氮化硅膜时，通过含氮气体的种类和处理压力的组合来控制形成的氮化硅膜的应力。上述等离子体处理装置利用具有多个隙缝的平面天线向处理室内导入微波，产生等离子体。
- 一种太阳集热管增透涂层的制备方法-200810237834.9
- 李业博;刘希杰;张化明;柯伟;沈永春 - 山东力诺新材料有限公司
- 2008-12-02 - 2009-05-06 - C23C16/42
- 本发明涉及一种太阳集热管罩玻璃管增透涂层的制备方法，属于太阳能光热转换利用领域。所述的制备方法采用如下步骤：(1)将清洁的罩玻璃管置于真空系统中，抽真空；(2)通入硅系气体和氧气的混合气体；(3)开启交变磁场发生器，离化上述混合气体，在罩玻璃管内壁涂覆增透涂层。本发明的有益效果是：制备工艺简单，所制备的增透膜厚度均匀，低折射率，高增透性，极大的提高了太阳能的转换效率，有利于增透膜的推广应用。
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
