[发明专利]碳化硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 200780011156.8 | 申请日： | 2007-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN101473074A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 坂元秀光;寺岛由纪夫 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B17/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 用硅原料填充石墨坩埚(10)，加热石墨坩埚(10)以形成熔融硅(M)，将至少一种稀土元素以及选自Sn、Al和Ge中的至少一种加入熔融硅(M)，并在熔融硅中保持从熔融硅内部向熔融硅表面(S)降温的温度梯度，同时从置于紧靠所述熔融液体的表面下方的碳化硅晶种(14)开始生长碳化硅单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种生产碳化硅单晶的方法，包括：用硅原料填充石墨坩埚；加热所述石墨坩埚以形成熔融硅；将至少一种稀土元素以及选自Sn、Al和Ge中的一种加入到所述熔融硅中；和在所述熔融硅中保持从所述熔融硅内部向其表面温度降低的温度梯度，同时从置于紧靠熔融液体表面的下方的碳化硅晶种出发生长碳化硅单晶。
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