[发明专利]碳化硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 200780011156.8 | 申请日： | 2007-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN101473074A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 坂元秀光;寺岛由纪夫 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B17/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种生产碳化硅(SiC)单晶的方法，其中在熔融硅(M)中保持从所 述熔融硅(M)内部向其表面温度降低的温度梯度，同时从置于紧靠熔融 液体表面的下方的碳化硅(SiC)晶种(14)出发生长碳化硅(SiC)单晶， 所述方法的特征在于包括：
用硅原料填充石墨坩埚(10)；
加热所述石墨坩埚(10)以形成熔融硅(M)；
将至少一种稀土元素以及选自Sn和Ge中的一种加入到所述熔融硅中 (M)。
2.根据权利要求1所述的生产碳化硅(SiC)单晶的方法，其中所述稀土 元素是Dy或Ce。
3.根据权利要求1所述的生产碳化硅(SiC)单晶的方法，其中所述稀土 元素是选自Y、Nd、Sm、Sc、La和Yb中的至少一种。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的生产碳化硅(SiC)单晶的方法， 其中
将量为5～30at％的所述稀土元素和量为5～20at％的所述选自Sn和 Ge中的一种加入到总的所述熔融硅(M)中。
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