[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710196046.5 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101241934A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 陈吉智;林怡君;吴国铭;柳瑞兴 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。上述半导体装置包括半导体衬底。图案化的栅极结构设置于该半导体衬底上。单边间隙壁设置于该栅极结构的第一侧壁上。第一型的体掺杂区域形成于该半导体衬底内，且邻近该栅极结构的第二侧壁。第二型的源极掺杂区域形成于该体掺杂区域上，且具有边端与该栅极结构的该第二侧壁对齐。第二型的漏极掺杂区域形成于该半导体衬底内，且具有边端与该单边间隙壁的外侧面对齐。本发明能够充分保护栅极堆叠结构，避免其受到正向离子注入部分损伤，因此可获得稳定的阈电压值，并且正向离子注入部分的工艺窗口不致变窄，并且可完全与先进的高电压与高功率元件工艺技术整合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：半导体衬底；图案化的栅极结构，设置于该半导体衬底上；单边间隙壁，设置于该栅极结构的第一侧壁上；第一型的体掺杂区域，形成于该半导体衬底内，且邻近该栅极结构的第二侧壁；第二型的源极掺杂区域，形成于该体掺杂区域上，且具有与该栅极结构的该第二侧壁对齐的边端；以及第二型的漏极掺杂区域，形成于该半导体衬底内，且具有与该单边间隙壁的外侧面对齐的边端。
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