[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200710193991.X | 申请日： | 2007-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101364540A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 余振华;姚亮吉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/31;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：提供半导体衬底；在该衬底上形成高介电常数介电层；在该高介电常数介电层上形成富硅薄膜；对该富硅薄膜实施处理步骤，其中至少部分该富硅薄膜通过导入掺杂物而键合至该高介电常数介电层；以及在该富硅薄膜之上形成导电层。本发明能够减少费米能阶钉扎的数量，降低费米能阶钉扎效应，从而提升整体装置的操作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：提供半导体衬底；在该衬底上形成高介电常数介电层；在该高介电常数介电层上形成富硅薄膜；对该富硅薄膜实施处理步骤，其中至少部分该富硅薄膜通过导入掺杂物而键合至该高介电常数介电层；以及在该富硅薄膜之上形成导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
