[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

提供半导体衬底；

在该衬底上形成高介电常数介电层；

在该高介电常数介电层上形成富硅薄膜；

对该富硅薄膜实施处理步骤，其中至少部分该富硅薄膜通过导入掺杂物 而键合至该高介电常数介电层；

在该富硅薄膜之上形成导电层；

除去部分该高介电常数介电层、该富硅薄膜及该导电层，以形成栅极叠 层，其中该栅极叠层包括多个侧壁；

在该衬底中的该栅极叠层的两侧形成多个源极/漏极区；以及

在该栅极叠层的该多个侧壁上形成多个间隔物。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中对该富硅薄膜实施 的处理步骤包括至少部分氧化该富硅薄膜。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中对该富硅薄膜实施 的处理步骤包括至少部分氮化该富硅薄膜。

4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括在该衬底上形成 高介电常数介电层的步骤之前，在该衬底上形成氧化层。

5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在该富硅薄膜之上 形成导电层的步骤，至少部分是通过物理气相沉积法完成的。

6.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

提供衬底，且该衬底具有多个隔离区；

在该衬底之上形成高介电常数材料层；

在该高介电常数材料层之上形成薄膜，且该薄膜包括大部分为硅的材料；

在该薄膜中导入多种掺杂物，使得所述多种掺杂物与该高介电常数材料 相互键合；

在该薄膜之上形成栅极电极层；

除去部分该高介电常数材料层、该薄膜及该栅极电极层，以形成栅极叠 层，其中该栅极叠层具有多个侧壁；

在该衬底中的该栅极叠层的两侧形成多个源极/漏极区；以及

在该栅极叠层的该多个侧壁上形成多个间隔物。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中在该薄膜中导入多 种掺杂物的步骤，至少部分为氧化该薄膜。

8.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中在该薄膜中导入多 种掺杂物的步骤，至少部分为氮化该薄膜。

9.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，还包括在该衬底之上形 成高介电常数材料层的步骤之前，在该衬底上形成氧化层。

10.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中在该薄膜之上形 成栅极电极层的步骤，至少部分是通过物理气相沉积法完成的。

11.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中该高介电常数材 料层包括硅酸盐。