[发明专利]半导体元件

摘要

本发明提供一种新颖的系统单晶片结构、半导体元件及其制造方法。系统单芯片包括逻辑区、静态随机存取存储器区、及动态随机存取存储器区。动态随机存取存储器单元中的储存电容形成在金属－绝缘体－金属结构中的第一介电层中，其具有巨大的垂直表面积。形成在第一介电层的对接接点包括在静态随机存取存储器单元中接合至第一及第二导电区的底端部分与连接至第一金属层的垂直排列顶端部分。顶端部分具有实质上比底端部分更深的深度且实质上较小的尺寸。形成此系统单芯片结构不需增加复杂且有错误倾向的额外工艺于已知的CMOS工艺中，因此对整体系统单芯片的合格率的冲击很微小。

主权项

1.一种半导体元件，包括：半导体衬底，具有第一导电区、第二导电区、及第三导电区；介电层，形成于该半导体衬底上；第一导电元件及第二导电元件，形成于该介电层的表面上；第一接点，形成于该介电层中，将该第一导电区连接至该第一导电元件；以及第二接点，形成于该介电层中，包括邻接该第二导电区及该第三导电区的底端部分及连接至该第二导电元件的顶端部分，其中该底端部分的尺寸实质上大于该顶端部分。