[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种非易失性半导体存储器件及其制造方法。能够提高分离栅极型MONOS存储单元的抗误写入(干扰)性能，并且使该存储单元高速动作。取消元件分离区域以及存储晶体管与选择晶体管之间的绝缘区域中的电荷积蓄膜，使得不对该部位注入或积蓄电荷。并且，在元件分离区域上，在比选择晶体管的栅极电极从硅衬底(000)表面高出的位置结束存储晶体管的栅极电极，从而降低存储晶体管和选择晶体管之间的电容。

主权项

1.一种非易失性半导体存储器件，其特征在于：包括多个元件分离区域，形成在半导体衬底上，沿第一方向延伸；元件形成区域，形成在上述多个元件分离区域之间；一对半导体区域，形成在上述元件形成区域内，成为源区和漏区；第一栅极电极，沿与上述第一方向交叉的第二方向延伸；第二栅极电极，沿上述第二方向延伸；电荷积蓄膜，形成在上述半导体衬底与上述第一栅极电极之间，其中，上述第一栅极电极与上述第二栅极电极，在上述第一方向上相邻，上述第一栅极电极与上述第二栅极电极形成在上述一对半导体区域之间，上述电荷积蓄膜仅形成在上述元件形成区域与上述第一栅极交叉的区域，通过对上述电荷积蓄膜注入热电子或热空穴，进行信息的写入或删除。