[发明专利]非易失性半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储器件，其特征在于：

包括

多个元件分离区域，形成在半导体衬底上，沿第一方向延伸；

元件形成区域，形成在上述多个元件分离区域之间；

一对半导体区域，形成在上述元件形成区域内，成为源区和漏区；

第一栅极电极，沿与上述第一方向交叉的第二方向延伸；

第二栅极电极，沿上述第二方向延伸；

电荷积蓄膜，形成在上述半导体衬底与上述第一栅极电极之间，

其中，上述第一栅极电极与上述第二栅极电极，在上述第一方向上相邻，上述第一栅极电极与上述第二栅极电极形成在上述一对半导体区域之间，

上述电荷积蓄膜仅形成在上述元件形成区域与上述第一栅极交叉的区域，

通过对上述电荷积蓄膜注入热电子或热空穴，进行信息的写入或删除。

2.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于：

上述元件分离区域内的上述第一栅极电极的底面的位置，位于比上述元件分离区域内的上述第二栅极电极的底面的位置高的位置。

3.根据权利要求2所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于：

上述元件分离区域内的上述第一栅极电极的底面的位置，位于与上述元件分离区域内的上述第二栅极电极的上表面的位置等高的位置或比上述第二栅极电极的上表面的位置高的位置。

4.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于：

上述元件分离区域内的上述第一栅极电极与上述第二栅极电极的相对面处的单位面积的电容，比上述元件形成区域内的上述第一栅极电极与上述第二栅极电极的相对面处的单位面积的电容小。

5.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于：

上述第一栅极电极与上述第二栅极电极隔着绝缘膜而相邻，在上述绝缘膜内不存在电荷积蓄膜。

6.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于：

上述元件分离区域内的上述第二栅极电极的底面，位于比上述半导体衬底的上表面低的位置。

7.根据权利要求1所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于：

还包括

第三栅极电极，沿上述第二方向延伸；

电荷积蓄膜，形成在上述半导体衬底和上述第三栅极电极之间，

其中，上述第三栅极电极，在上述第一方向且与形成有上述第一栅极电极的方向相反的方向上相邻，

上述第三栅极电极形成在上述一对半导体区域之间，

上述电荷积蓄膜仅形成在上述元件形成区域与上述第一栅极电极交叉的区域和上述元件形成区域与上述第三栅极电极交叉的区域。

8.一种非易失性半导体存储器件，其特征在于：

包括

多个元件分离区域，形成在半导体衬底上，沿第一方向延伸；

元件形成区域，形成在上述多个元件分离区域之间；

一对半导体区域，形成在上述元件形成区域内，成为源区和漏区；

第一栅极电极，沿与上述第一方向交叉的第二方向延伸；

第二栅极电极，沿上述第二方向延伸；

电荷积蓄膜，形成在上述半导体衬底与上述第一栅极电极之间，

其中，上述第一栅极电极与上述第二栅极电极，在上述第一方向上相邻，上述第一栅极电极与上述第二栅极电极形成在上述一对半导体半导体区域之间，

上述电荷积蓄区域仅形成在上述元件形成区域和上述第一栅极电极交叉的区域，

上述元件分离区域内的上述第一栅极电极的底面的位置，位于比上述元件分离区域内的上述第二栅极电极的底面的位置高的位置。

9.根据权利要求8所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于：

上述元件分离区域内的上述第一栅极电极的底面的位置，位于与上述元件分离区域内的上述第二栅极电极的上表面的位置等高的位置或比上述第二栅极电极的上表面的位置高的位置。

10.根据权利要求8所述的非易失性半导体存储器件，其特征在于：

上述元件分离区域内的上述第一栅极电极与上述第二栅极电极的相对面处的单位面积的电容，比上述元件形成区域内的上述第一栅极电极和上述第二栅极电极的相对面处的单位面积的电容小。