[发明专利]半导体集成电路装置

摘要

一种半导体集成电路装置包括：第一和第二场效应晶体管，具有形成为环形的栅电极、在栅电极内侧形成的漏极扩散层、以及在栅电极外侧形成的源极扩散层；以及衬底电势扩散层或阱电势扩散层，设置为与相同导电类型的第一和第二场效应晶体管的源极扩散层的每一个相接触，衬底电势扩散层或阱电势扩散层利用与源极扩散层不同导电类型的半导体形成。将不同的信号输入到每一个栅电极，将衬底电势扩散层或阱电势扩散层形成于第一场效应晶体管的源极扩散层和第二场效应晶体管的源极扩散层之间。

主权项

1.一种半导体集成电路装置，包括：第一和第二场效应晶体管，具有形成为环形的栅电极、在栅电极内侧形成的漏极扩散层、以及在栅电极外侧形成的源极扩散层；以及衬底电势扩散层或阱电势扩散层，设置为与相同导电类型的第一和第二场效应晶体管的源极扩散层的每一个相接触，衬底电势扩散层或阱电势扩散层利用与源极扩散层不同导电类型的半导体形成，其中将不同的信号输入到相同导电类型的第一和第二场效应晶体管的栅电极的每一个，将衬底电势扩散层或阱电势扩散层形成于第一场效应晶体管的源极扩散层和第二场效应晶体管的源极扩散层之间，以及沿第一方向在第一和第二场效应晶体管之间不存在隔离器件的绝缘膜，其中相同导电类型的第一和第二场效应晶体管沿所述第一方向设置。