[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710181741.4 | 申请日： | 2007-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101170127A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 张守仁;凯特·乔治·爱得恩;于洪宇;劳斯·安妮;卫罗索·安那贝拉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;跨大学校际微电子卓越研究中心 |
| 主分类号： | H01L29/49 | 分类号： | H01L29/49;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包括：一主要电极；一介电质，连接于上述主要电极，上述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，上述功函数调整元素用以调整上述主要电极的上述材料的功函数以达到一预定值，其中上述主要电极还包括：一防止扩散掺质元素，其用以防止上述功函数调整元素朝上述介电质扩散和/或扩散进入上述介电质。本发明也提供一种半导体装置的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：一主要电极；以及一介电质，连接于所述主要电极，所述主要电极包括：一材料，其具有一功函数和一功函数调整元素，所述功函数调整元素用以调整所述主要电极的所述材料的功函数以达到一预定值，其中所述主要电极还包括：一防止扩散掺质元素，其用以防止所述功函数调整元素朝所述介电质扩散和/或扩散进入所述介电质。
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