[发明专利]叠层芯片封装及其制造方法和系统有效

专利信息
申请号: 200710181659.1 申请日: 2007-10-22
公开(公告)号: CN101170106A 公开(公告)日: 2008-04-30
发明(设计)人: 劳伊德·A.·沃斯;弗兰西斯科·普雷达 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/065;H01L23/498;H01L21/60;G06F17/50
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李颖
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了叠层芯片封装及其制造方法和系统。在对于封装的所有区域使用理想电压参考、并且仍可避免电压参考的非连续性的同时,用于在叠层封装中的多层连续地参考信号的机制从一层到另一层提供用于信号的连续通路。参考平面调整引擎分析封装设计,并且识别对于封装的所有区域的理想顶平面,所述封装的所有区域包括特定芯片下的区域和不在芯片下的区域。然后,参考平面调整引擎修改封装设计以重新定位地平面、源电压平面、信号平面和各层之间的通孔,以保持连续电压参考而不管顶层。参考平面调整引擎将得到的混合电压平面封装提供给设计分析引擎。封装制造系统制造封装。
搜索关键词: 芯片 封装 及其 制造 方法 系统
【主权项】:
1.叠层芯片封装,包括:多个绝缘层;以及多个构成图案的导电层,包括第一层、第四层和连续的绝缘层之间的两个中间层,其中选择性部分使用延伸穿过连续绝缘层的通孔在层之间被连接,其中第一芯片下的第一层的第一区域被连接到源电压,其中第二芯片下的第一层的第二区域被连接到地电位;将导电信号平面定位于多个导电层中的一个导电层中,并且从第一芯片下延伸至第二芯片下,其中信号平面通过连接到源电压的第二导电层和连接到地电位的第四导电层的平稳接近,从第一芯片下至第二芯片下保持相对一致的阻抗,而没有对叠层芯片封装添加层。
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