[发明专利]铁酸铋/钛酸铋叠层结构电容及其制备方法

摘要

本发明涉及铁酸铋/钛酸铋叠层结构电容及其制备方法，属于微电子新材料与器件技术领域，该电容包括：以硅为衬底，在该衬底上依次结合有氧化层、下电极金属层、铁酸铋薄膜，以及上电极金属层；在所述下电极金属层与铁酸铋薄膜之间还结合有钛酸铋诱导层薄膜。该方法由铁酸铋BFO和钛酸铋BXT前驱体溶胶的制备，以及铁酸铋BFO/钛酸铋BXT叠层结构电容的制备三部分组成。本发明利用该方法制备出来的铁电电容具有优异的抗疲劳特性、较高的剩余极化强度(Pr)，较低的操作电压(Vc)，较好的介电特性，并能与CMOS工艺技术相兼容的特点，且在室温下能够正常工作，适用于新型高密度存储器以及集成铁电器件。

主权项

1.一种铁酸铋/钛酸铋叠层结构电容，该电容包括：以硅为衬底，在该衬底上依次结合有氧化层、下电极金属层、铁酸铋薄膜，以及上电极金属层；其特征在于，在所述下电极金属层与铁酸铋薄膜之间还结合有钛酸铋诱导层薄膜。