[发明专利]铁酸铋/钛酸铋叠层结构电容及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200710175793.0 申请日: 2007-10-12
公开(公告)号: CN101136404A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 谢丹;任天令;臧永圆;刘理天 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L27/115;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8247
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所 代理人: 廖元秋
地址: 1000*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 铁酸铋 钛酸铋叠层 结构 电容 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种铁酸铋/钛酸铋叠层结构电容,该电容包括:以硅为衬底,在该衬底上依次结合有氧化层、下电极金属层、铁酸铋薄膜,以及上电极金属层;其特征在于,在所述下电极金属层与铁酸铋薄膜之间还结合有钛酸铋诱导层薄膜。

2.如权利要求1所述的电容,其特征在于,所述钛酸铋的组成为Bi4-xXxTi3O12,其中的X为稀土元素Nd,La,Sm,Pr,Gd中的任意一种,所述钛酸铋中的X占X和Bi总量的摩尔百分数在0.1<x<1.0的范围内;所述钛酸铋中的Bi,相对于所述组成式:Bi4-xXxTi3O12要过量添加,该Bi元素的过剩含量占Bi、X和Ti元素总量的摩尔百分数为5%<Bi<20%范围。

3.如权利要求1所述的电容,其特征在于,所述钛酸铋薄膜厚度为10nm~200nm,所述铁酸铋薄膜厚度为20nm~500nm。

4.一种如权利要求1所述电容的制备方法,其特征在于,由铁酸铋BFO和钛酸铋BXT前驱体溶胶的制备,以及铁酸铋BFO/钛酸铋BXT叠层结构电容的制备三部分组成,包括以下步骤:

1)制备所述BXT前驱体溶胶:

11)将稀土元素的醋酸盐硝酸盐0.3~5g溶于乙酸或乙醇胺或乙二醇甲醚中,使其完全溶解成稀土元素的盐溶液;

12)将己酸铋或醋酸铋或硝酸铋3~40g溶于己酸或乙酸使其完全溶解成己酸铋溶液或乙酸铋溶液;

13)将稀土元素的醋酸盐溶液加入己酸铋溶液或乙酸铋溶液中,在25~100℃条件下充分搅拌5~30分钟,以形成澄清均匀的稀土元素与铋的混合溶液;

14)量取异丙醇钛1~10g,徐徐加入上述混合溶液中,在25~100℃条件下充分搅拌10~30分钟,以形成澄清均匀的BXT溶液;

15)将丙醇或乙醇加入上述BXT溶液中进行稀释,使BXT溶液的浓度范围为0.01~0.5mol/1,在25~100℃条件下搅拌10~60分钟,直至形成均匀、浓度适中的BXT溶液;

16)使用孔径为0.2~0.3μm的滤头把所述BXT溶液滤入滴瓶,得到均匀透明的BXT前驱体溶液,放入冰箱冷藏静置约5~10天即可得到BXT前驱体溶胶;

2)制备所述BFO前躯体溶胶:

21)将乙醇铁或硝酸铁0.1~10g溶于乙二醇甲醚或乙酸中,使其完全溶解成铁的有机溶液;

22)将己酸铋或醋酸铋或硝酸铋0.5~20g溶于己酸或乙酸使其完全溶解成己酸铋溶液或乙酸铋溶液;

23)将铁的有机溶液加入己酸铋溶液或乙酸铋溶液中,在25~100℃条件下充分搅拌10~40分钟,以形成澄清均匀的铁铋混合溶液;

24)将乙酸加入上述铁铋混合溶液中进行稀释,将乙二醇甲醚或己酸加入上述铁铋混合溶液中调节黏度,达到制膜工艺所需黏度和浓度,并在25~100℃条件下搅拌20~60分钟,直至形成均匀的、黏度适中的BFO溶液,BFO溶液的浓度范围为0.01~0.5mol/l;

25)使用孔径为0.2~0.3μm的滤头把所述BFO溶液滤入滴瓶,得到均匀透明的BFO前驱体溶液,放入冰箱冷藏静置约1~3天即可得到BFO前驱体溶胶;

3)制备所述铁酸铋BFO/钛酸铋BXT叠层结构电容:

31)采用硅Si作衬底,对其进行清洗,然后氧化,形成的氧化层;

32)溅射下电极,电极材料为:铂/钛Pt/Ti,或铂/氧化钛Pt/TiO2,或氧化钇/钇IrO2/Ir,铂/氧化钇/钇Pt/IrO2/Ir,或氧化钌/钌RuO2/Ru之中一种;

33)在所述下电极上制备BXT诱导层薄膜,包括以下五步:

(a)利用旋涂的方法涂覆一层BXT前躯体溶胶后,高速离心旋转形成一薄层BXT薄膜,转速为:3000~4000转/分;时间为:20~100秒;

(b)将所述BXT薄膜放在热板上进行前烘,前烘温度为:200~300℃,时间为:5~10分钟;

(c)再将前烘后的薄膜进行热解,热解温度为:300~400℃,时间为:5~15分钟;

(d)重复步骤a)-步骤c),直到BXT诱导层薄膜达到预定的厚度为止;

(e)然后将该BXT薄膜在600~650℃,氧气或氮气气氛中进行晶化退火,晶化时间为10~30分钟,得到BXT诱导层薄膜;

34)在BXT诱导层薄膜上生长BFO薄膜,包括以下五步:

(a)利用旋涂的方法涂覆一层BFO前躯体溶胶后,高速离心旋转形成一薄层BFO薄膜,转速为:3000~4500转/分;时间为:20~100秒;

(b)将所述薄膜放在热板上进行前烘,前烘温度为:150~300℃,时间为:5~10分钟;

(c)再将前烘后的薄膜进行热解,热解温度为:300~400℃,时间为:5~15分钟;

(d)重复步骤a)-步骤c),直到BFO薄膜达到预定的厚度为止;

(e)然后将该薄膜在500~650℃,氮气或氧气气氛中进行晶化退火,晶化时间为10~30分钟,得到BFO薄膜;

35)在BFO薄膜上溅射上电极,电极材料为:铂Pt,或钇/氧化钇Ir/IrO2,氧化钇IrO2,或钌/氧化钌Ru/RuO2之中一种,得到BFO/BXT叠层结构电容产品.

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