[发明专利]铁酸铋/钛酸铋叠层结构电容及其制备方法有效
申请号: | 200710175793.0 | 申请日: | 2007-10-12 |
公开(公告)号: | CN101136404A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 谢丹;任天令;臧永圆;刘理天 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L27/115;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8247 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所 | 代理人: | 廖元秋 |
地址: | 1000*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铁酸铋 钛酸铋叠层 结构 电容 及其 制备 方法 | ||
1.一种铁酸铋/钛酸铋叠层结构电容,该电容包括:以硅为衬底,在该衬底上依次结合有氧化层、下电极金属层、铁酸铋薄膜,以及上电极金属层;其特征在于,在所述下电极金属层与铁酸铋薄膜之间还结合有钛酸铋诱导层薄膜。
2.如权利要求1所述的电容,其特征在于,所述钛酸铋的组成为Bi4-xXxTi3O12,其中的X为稀土元素Nd,La,Sm,Pr,Gd中的任意一种,所述钛酸铋中的X占X和Bi总量的摩尔百分数在0.1<x<1.0的范围内;所述钛酸铋中的Bi,相对于所述组成式:Bi4-xXxTi3O12要过量添加,该Bi元素的过剩含量占Bi、X和Ti元素总量的摩尔百分数为5%<Bi<20%范围。
3.如权利要求1所述的电容,其特征在于,所述钛酸铋薄膜厚度为10nm~200nm,所述铁酸铋薄膜厚度为20nm~500nm。
4.一种如权利要求1所述电容的制备方法,其特征在于,由铁酸铋BFO和钛酸铋BXT前驱体溶胶的制备,以及铁酸铋BFO/钛酸铋BXT叠层结构电容的制备三部分组成,包括以下步骤:
1)制备所述BXT前驱体溶胶:
11)将稀土元素的醋酸盐硝酸盐0.3~5g溶于乙酸或乙醇胺或乙二醇甲醚中,使其完全溶解成稀土元素的盐溶液;
12)将己酸铋或醋酸铋或硝酸铋3~40g溶于己酸或乙酸使其完全溶解成己酸铋溶液或乙酸铋溶液;
13)将稀土元素的醋酸盐溶液加入己酸铋溶液或乙酸铋溶液中,在25~100℃条件下充分搅拌5~30分钟,以形成澄清均匀的稀土元素与铋的混合溶液;
14)量取异丙醇钛1~10g,徐徐加入上述混合溶液中,在25~100℃条件下充分搅拌10~30分钟,以形成澄清均匀的BXT溶液;
15)将丙醇或乙醇加入上述BXT溶液中进行稀释,使BXT溶液的浓度范围为0.01~0.5mol/1,在25~100℃条件下搅拌10~60分钟,直至形成均匀、浓度适中的BXT溶液;
16)使用孔径为0.2~0.3μm的滤头把所述BXT溶液滤入滴瓶,得到均匀透明的BXT前驱体溶液,放入冰箱冷藏静置约5~10天即可得到BXT前驱体溶胶;
2)制备所述BFO前躯体溶胶:
21)将乙醇铁或硝酸铁0.1~10g溶于乙二醇甲醚或乙酸中,使其完全溶解成铁的有机溶液;
22)将己酸铋或醋酸铋或硝酸铋0.5~20g溶于己酸或乙酸使其完全溶解成己酸铋溶液或乙酸铋溶液;
23)将铁的有机溶液加入己酸铋溶液或乙酸铋溶液中,在25~100℃条件下充分搅拌10~40分钟,以形成澄清均匀的铁铋混合溶液;
24)将乙酸加入上述铁铋混合溶液中进行稀释,将乙二醇甲醚或己酸加入上述铁铋混合溶液中调节黏度,达到制膜工艺所需黏度和浓度,并在25~100℃条件下搅拌20~60分钟,直至形成均匀的、黏度适中的BFO溶液,BFO溶液的浓度范围为0.01~0.5mol/l;
25)使用孔径为0.2~0.3μm的滤头把所述BFO溶液滤入滴瓶,得到均匀透明的BFO前驱体溶液,放入冰箱冷藏静置约1~3天即可得到BFO前驱体溶胶;
3)制备所述铁酸铋BFO/钛酸铋BXT叠层结构电容:
31)采用硅Si作衬底,对其进行清洗,然后氧化,形成的氧化层;
32)溅射下电极,电极材料为:铂/钛Pt/Ti,或铂/氧化钛Pt/TiO2,或氧化钇/钇IrO2/Ir,铂/氧化钇/钇Pt/IrO2/Ir,或氧化钌/钌RuO2/Ru之中一种;
33)在所述下电极上制备BXT诱导层薄膜,包括以下五步:
(a)利用旋涂的方法涂覆一层BXT前躯体溶胶后,高速离心旋转形成一薄层BXT薄膜,转速为:3000~4000转/分;时间为:20~100秒;
(b)将所述BXT薄膜放在热板上进行前烘,前烘温度为:200~300℃,时间为:5~10分钟;
(c)再将前烘后的薄膜进行热解,热解温度为:300~400℃,时间为:5~15分钟;
(d)重复步骤a)-步骤c),直到BXT诱导层薄膜达到预定的厚度为止;
(e)然后将该BXT薄膜在600~650℃,氧气或氮气气氛中进行晶化退火,晶化时间为10~30分钟,得到BXT诱导层薄膜;
34)在BXT诱导层薄膜上生长BFO薄膜,包括以下五步:
(a)利用旋涂的方法涂覆一层BFO前躯体溶胶后,高速离心旋转形成一薄层BFO薄膜,转速为:3000~4500转/分;时间为:20~100秒;
(b)将所述薄膜放在热板上进行前烘,前烘温度为:150~300℃,时间为:5~10分钟;
(c)再将前烘后的薄膜进行热解,热解温度为:300~400℃,时间为:5~15分钟;
(d)重复步骤a)-步骤c),直到BFO薄膜达到预定的厚度为止;
(e)然后将该薄膜在500~650℃,氮气或氧气气氛中进行晶化退火,晶化时间为10~30分钟,得到BFO薄膜;
35)在BFO薄膜上溅射上电极,电极材料为:铂Pt,或钇/氧化钇Ir/IrO2,氧化钇IrO2,或钌/氧化钌Ru/RuO2之中一种,得到BFO/BXT叠层结构电容产品.
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的