[发明专利]多晶硅硅化物电熔丝器件有效
| 申请号： | 200710171606.1 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101170099A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 高文玉;韦敏侠;李睿;王庆东 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/62;H01L27/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多晶硅硅化物电熔丝器件，包括：衬底，设于衬底上的一半导体材料层，该半导体材料层包括两端掺杂种类相同的引出区和中部的不掺杂区或掺杂浓度低于两端引出区的中间区；该中间区内设有一个或多个熔断区；设于所述半导体材料层上的金属硅化物层。本发明将熔断控制在不掺杂或轻掺杂的中间区，熔断后电阻中值增大和分布范围变窄，也抑制了熔断时电流产生的区域过热。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅硅化物电熔丝 器件 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅硅化物电熔丝器件，其特征在于包括：衬底，设于衬底上的一半导体材料层，该半导体材料层包括两端掺杂种类相同的引出区和中部的不掺杂区或掺杂浓度低于两端引出区的中间区；该中间区内设有一个或多个熔断区；设于所述半导体材料层上的金属硅化物层。
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