[发明专利]多晶硅硅化物电熔丝器件有效
| 申请号： | 200710171606.1 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101170099A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 高文玉;韦敏侠;李睿;王庆东 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/62;H01L27/04 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 硅硅化物电熔丝 器件 | ||
1.一种多晶硅硅化物电熔丝器件，其特征在于包括：
衬底，
设于衬底上的一半导体材料层，该半导体材料层包括两端掺杂种类相同的引出区和中部的不掺杂区或掺杂浓度低于两端引出区的中间区；该中间区内设有一个或多个熔断区；
设于所述半导体材料层上的金属硅化物层。
2.根据权利要求1所述的多晶硅硅化物电熔丝器件，其特征在于：所述金属硅化物层上还设有一介质层，所述介质层在位于两端的所述引出区处分别设有一个或多个惯穿至金属硅化物层的接触孔。
3.根据权利要求2所述的多晶硅硅化物电熔丝器件，其特征在于：所述接触孔位于所述引出区远离所述熔断区一侧。
4.根据权利要求1所述的多晶硅硅化物电熔丝器件，其特征在于：所述半导体材料层为多晶硅、非晶硅或者锗硅合金材料中的一种。
5.根据权利要求1所述的多晶硅硅化物电熔丝器件，其特征在于：至少一所述引出区靠近接触孔一侧的宽度大于靠近所述熔断区一侧的宽度。
6.根据权利要求1所述的多晶硅硅化物电熔丝器件，其特征在于：所述熔断区与该中间区重合。
7.根据权利要求1所述的多晶硅硅化物电熔丝器件，其特征在于：至少一所述引出区包括一细长的引出端，所述引出区通过该引出端与所述中间区邻接。
8.根据权利要求7所述的多晶硅硅化物电熔丝器件，其特征在于：所述引出端为阶梯形。
9.根据权利要求1所述的多晶硅硅化物电熔丝器件，其特征在于：所述熔断区的宽度小于该中间区的最大宽度。
10.根据权利要求1所述的多晶硅硅化物电熔丝器件，其特征在于：所述熔断区为多个，该多个熔断区串接成一长条形结构。
11.根据权利要求1所述的多晶硅硅化物电熔丝器件，其特征在于：所述熔断区为一个或多个串接的弯曲或弯折形结构。
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