[发明专利]半导体存储器及系统有效
申请号: | 200710154682.1 | 申请日: | 2007-09-21 |
公开(公告)号: | CN101154435A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 小林广之 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G11C8/08 | 分类号: | G11C8/08;G11C11/408 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 宋鹤 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及具有存储单元和连接到存储单元的字线的半导体存储器。其中,分别与存储块相对应地形成字译码器、字驱动器、和电压控制电路。字译码器产生提供给字驱动器的晶体管的栅极的字控制信号。电压控制电路,在相应存储块的访问时间段中将提供给字译码器的字控制信号高电平电压设为第一高电压,并在相应存储块的非访问时间段中将其设置为低于第一高电压的第二高电压。高电平电压只在与访问状态改变的存储块相对应的字控制电路中转换到第一高电压或第二高电压。因此,可以防止在与访问状态不变的存储块相对应的高电平电压线中出现浪费的充电/放电电流,并且可减小由于用以减小GIDL电流的电路操作而导致的充电/放电电流以及电流损耗。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 系统 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储器,包括:多个存储块,每个具有存储单元和连接到所述存储单元的字线;和字控制电路,分别与所述存储块相对应地形成,且每个所述字控制电路激活/去活所述字线的电平,其中每个字控制电路包括:字译码器,所述字译码器在相应存储块的访问时间段中将字控制信号激活为低电平电压,并在相应存储块的非访问时间段中将字控制信号去活为高电平电压;字驱动器,所述字驱动器具有在栅极接收字控制信号并将其输出连接到所述字线的晶体管,且通过利用所述晶体管,在所述访问时间段中激活由地址选通的字线、并在所述非访问时间段中去活所述字线;和电压控制电路,所述电压控制电路执行第一操作,所述第一操作是指,在所述相应存储块的访问时间段中,将用于向字译码器提供字控制信号的高电平电压的高电平电压线,连接到提供有第一高电压的第一高电压线,并且,在所述相应存储块的非访问时间段中,将所述高电平电压线连接到提供有低于第一高电压的第二高电压的第二高电压线。
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