[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710146868.2 申请日: 2007-08-24
公开(公告)号: CN101145546A 公开(公告)日: 2008-03-19
发明(设计)人: 加藤祯胤;藤泽哲也;佐藤光孝;吉田英治 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L21/50
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 张龙哺
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件具有优良散热特性结构。通过使用粘合剂材料将第一散热部设置在线路板上。通过使用粘合剂材料将半导体元件粘着在第一散热部上。通过引线将半导体元件与设置在线路板上的电极连接。通过使用导电粘合剂材料将覆盖半导体元件和引线的第二散热部接合至第一散热部。通过树脂密封第二散热部除其平坦上部之外的内部和外部。通过上述过程,制造了半导体器件。在半导体元件中产生并传送至第一散热部的热量从第一散热部的边缘部分释放出去。此外,在半导体元件中产生并传送至第一散热部的热量传送至导电粘合剂材料和第二散热部,并从第二散热部的平坦上部释放出去。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:第一散热部;半导体元件,设置在该第一散热部上;第二散热部,覆盖该半导体元件,并热连接至该第一散热部;以及绝缘部,设置在该半导体元件和该第二散热部之间。
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