[发明专利]半导体存储器和系统有效
| 申请号： | 200710146259.7 | 申请日： | 2007-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101136244A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 小林广之 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063;G11C11/4091 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 宋鹤 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体存储器和系统。当存储单元被存取时，字驱动器将高电平电压提供到字线，而当存储单元不被存取时，字驱动器向字线提供为负电压的低电平电压。至少在存储单元不被存取时的待机时间段期间，预充电电路降低对位线的预充电电压供应能力。源极或漏极连接到位线的nMOS晶体管的衬底电压被设置成字线的低电平电压或者更低。因此，当字线和位线发生短路故障并且位线的电压在待机时间段期间改变到字线的低电平电压时，可以防止衬底电流在nMOS晶体管的源极和衬底之间或者在漏极和衬底之间流动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 系统 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，包括：存储单元，该存储单元包括数据存储部件和传输晶体管；位线，该位线连接到所述传输晶体管的源极/漏极之一；字线，该字线连接到所述传输晶体管的栅极；字驱动器，当所述存储单元被存取时，该字驱动器将高电平电压提供到所述字线，当所述存储单元不被存取时，该字驱动器提供为负电压的低电平电压；预充电电路，该预充电电路包括将所述位线连接到预充电电压线的预充电开关，并在当所述存储单元不被存取时的待机时间段期间降低向所述位线提供预充电电压的能力；以及nMOS晶体管，该nMOS晶体管的源极或漏极连接到所述位线，并且该nMOS晶体管的衬底电压被设置成所述字线的低电平电压或更低。
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