[发明专利]半导体存储器和系统

权利要求书

1.一种半导体存储器，包括：

存储单元，该存储单元包括数据存储部件和传输晶体管；

位线，该位线连接到所述传输晶体管的源极/漏极之一；

字线，该字线连接到所述传输晶体管的栅极；

字驱动器，当所述存储单元被存取时，该字驱动器将高电平电压提供到所述字线，当所述存储单元不被存取时，该字驱动器提供为负电压的低电平电压；

预充电电路，该预充电电路包括将所述位线连接到预充电电压线的预充电开关，并在当所述存储单元不被存取时的待机时间段期间降低向所述位线提供预充电电压的能力；以及

nMOS晶体管，该nMOS晶体管的源极或漏极连接到所述位线，并且该nMOS晶体管的衬底电压被设置成所述字线的低电平电压或更低。

2.如权利要求1所述的半导体存储器，还包括：

预充电控制电路，用于在所述待机时间段期间关断所述预充电开关。

3.如权利要求1所述的半导体存储器，其中，

所述预充电电路包括布置在所述位线和所述预充电电压线之间的电阻器元件。

4.如权利要求1所述的半导体存储器，其中，

所述预充电开关是所述nMOS晶体管。

5.如权利要求1所述的半导体存储器，还包括：

灵敏放大器，该灵敏放大器连接到所述位线并包括所述nMOS晶体管。

6.如权利要求1所述的半导体存储器，还包括：

列开关，该列开关包括将所述位线连接到数据线的所述nMOS晶体管。

7.如权利要求1所述的半导体存储器，其中，

所述传输晶体管由所述nMOS晶体管构成。

8.如权利要求1所述的半导体存储器，还包括：

升压电路，用于产生高于电源电压的升压电压，其中，

所述字驱动器将所述升压电压作为所述高电平电压提供到所述字线，并且

源极或漏极连接到所述位线的pMOS晶体管的衬底电压被设置成所述升压电压或更高。

9.如权利要求8所述的半导体存储器，还包括：

灵敏放大器，该灵敏放大器连接到所述位线并包括所述pMOS晶体管。

10.如权利要求1所述的半导体存储器，还包括：

灵敏放大器，用于放大在所述位线上的电压值；和

连接开关，用于连接所述位线和所述灵敏放大器，其中，

所述连接开关由所述nMOS晶体管构成。

11.如权利要求10所述的半导体存储器，还包括：

连接控制电路，用于在所述待机时间段期间关断所述连接开关。

12.如权利要求1所述的半导体存储器，还包括：

单元衬底电压发生器，用于产生单元衬底电压，该单元衬底电压是所述存储单元的所述传输晶体管的衬底电压；

负电压发生器，用于产生所述字线的负电压；

比较器，用于比较所述单元衬底电压和所述负电压；以及

短路电路，用于使单元衬底电压线与负电压线短路，所述单元衬底电压被提供到所述单元衬底电压线，所述负电压被提供到所述负电压线，其中，

当所述比较器检测到所述单元衬底电压高于所述负电压时，所述负电压发生器停止产生所述负电压的操作，并且所述短路电路使所述单元衬底电压线与所述负电压线短路。

13.如权利要求1所述的半导体存储器，还包括：

单元衬底电压发生器，用于产生单元衬底电压，该单元衬底电压是所述存储单元的所述传输晶体管的衬底电压；

负电压发生器，用于通过开关控制产生作为所述字线的负电压的多种电压；

比较器，用于比较所述单元衬底电压和所述负电压，其中，

当所述比较器检测到所述单元衬底电压高于所述负电压时，所述负电压发生器执行增加将要产生的负电压使得所述单元衬底电压等于或低于所述负电压的开关控制。