[发明专利]光感测元件及其制作方法有效
申请号: | 200710141935.1 | 申请日: | 2007-08-08 |
公开(公告)号: | CN101118915A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 林友民;陈信立;甘丰源 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L21/82;G06F3/042 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 郭蔚 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种光感测元件,包含一基板、一具有第一状态的图案化第一半导体层、一介电层、一图案化导电层、一内层介电层、一具有第二状态的图案化第二半导体层、二第一电极设于内层介电层上以及二第二电极设于图案化第二半导体层上。图案化第一半导体层是设于基板上的晶体管区并具有一第一掺杂区与一第二掺杂区。介电层是覆盖在图案化第一半导体层上,图案化导电层是设在介电层上,内层介电层是覆盖在介电层及图案化导电层上并具有二孔洞暴露出第一掺杂区及第二掺杂区。图案化第二半导体层是设于光感测区上,第一电极是电性连接图案化第一半导体层。 | ||
搜索关键词: | 光感测 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种光感测元件,包含:一基板,该基板上具有一晶体管区、以及一光感测区;一具有第一状态的第一图案化半导体层,形成于该晶体管区的该基板上,其具有一第一掺杂区及一第二掺杂区;一介电层,覆盖于该基板及该晶体管区的该第一图案化半导体层上;一图案化导电层,形成于该晶体管区及该光感测区上的该介电层上;一内层介电层,覆盖于该介电层上及该图案化导电层上,其具有至少二个孔洞分别暴露出部分该第一图案化半导体层的该第一掺杂区及该第二掺杂区;一具有第二状态的第二图案化半导体层,形成于该光感测区上;二第一电极,形成于该内层介电层上,且电性连接该第一图案化半导体层;以及二第二电极,形成于该第二图案化半导体层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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