[发明专利]光感测元件及其制作方法

权利要求书

1.一种光感测元件，包含：

一基板，该基板上具有一晶体管区、以及一光感测区；

一具有第一晶格状态的第一图案化半导体层，形成于该晶体管区的该基板上，其具有一第一掺杂区及一第二掺杂区；

一介电层，覆盖于该基板及该晶体管区的该第一图案化半导体层上；

第一图案化导电层，形成于该晶体管区及该光感测区上的该介电层上；

一内层介电层，覆盖于该介电层上及该第一图案化导电层上，其具有至少二个孔洞分别暴露出部分该第一图案化半导体层的该第一掺杂区及该第二掺杂区；

一具有第二晶格状态的第二图案化半导体层，形成于该光感测区上；

二第一电极，形成于该内层介电层上，且电性连接该第一图案化半导体层；以及

二第二电极，形成于该第二图案化半导体层上；其中，该第一图案化半导体层的第一晶格状态不同于该第二图案化半导体层的第二晶格状态。

2.根据权利要求1所述的光感测元件，其特征在于，更包含一图案化保护层，覆盖于该内层介电层上及该第一图案化导电层上。

3.根据权利要求2所述的光感测元件，其特征在于，更包含第二图案化导电层，具有一第一部份及一第二部份，分别形成于该晶体管区及该光感测区的该图案化保护层上，以致于该第一部份的第二图案化导电层电性连接于该二第一电极其中一者，而该第二部份的第二图案化导电层位于该光感测区的该二第二电极之间的图案化保护层上。

4.根据权利要求3所述的光感测元件，其特征在于，该第二部份与该二第二电极之间分别具有一第一间距及一第二间距。

5.根据权利要求4所述的光感测元件，其特征在于，该第一间距与该第二间距的比值为0至7.5。

6.根据权利要求3所述的光感测元件，其特征在于，该第二部份电连接至一电压源。

7.根据权利要求3所述的光感测元件，其特征在于，该第二部份连接二第二电极的其中一者，或者该第二部份连接该光感测区的该第一图案化导电层，或者该第二部份连接二第二电极的其中一者与该光感测区的该第一图案化导电层。

8.根据权利要求1所述的光感测元件，其特征在于，更包含至少一储存电容，形成于该基板的电容区上，且电性连接于该晶体管区上的该二第一电极其中一者。

9.一种制作光感测元件的方法，包含：

提供一基板，该基板上具有一晶体管区、以及一光感测区；

形成一具有第一晶格状态的第一图案化半导体层，于该晶体管区的该基板上，其具有一第一掺杂区及一第二掺杂区；

覆盖一介电层，于该基板及该晶体管区的该第一图案化半导体层上；

形成第一图案化导电层，于该晶体管区及该光感测区上的该介电层上；

覆盖一内层介电层，于该介电层上及该第一图案化导电层上，其具有至少二个孔洞分别暴露出部分该第一图案化半导体层的该第一掺杂区及该第二掺杂区；

形成一具有第二晶格状态的第二图案化半导体层，于该光感测区上；

形成二第一电极，于该内层介电层上，且电性连接该第一图案化半导体层；以及

形成二第二电极，于该第二图案化半导体层上；其中，该第一图案化半导体层的第一晶格状态不同于该第二图案化半导体层的第二晶格状态。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，更包含覆盖一图案化保护层，于该内层介电层上及该第一图案化导电层上。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，更包含提供第二图案化导电层，具有一第一部份及一第二部份，分别形成于该晶体管区及该光感测区的该图案化保护层上，以致于该第一部份电性连接于该二第一电极其中一者及该第二部份位于该二第二电极之间的图案化保护层上。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，该第二部份与该二第二电极之间分别具有一第一间距及一第二间距。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，该第一间距与该第二间距的比值为0至7.5。

14.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，该第二部份电连接至一电压源。