[发明专利]电容器及制造电容器的方法、半导体装置和液晶显示装置无效

专利信息
申请号: 200710138292.5 申请日: 2007-08-03
公开(公告)号: CN101118903A 公开(公告)日: 2008-02-06
发明(设计)人: 足立研;堀内悟志 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L27/00 分类号: H01L27/00;H01L27/12;H01L21/02;H01L21/316;H01L21/84;G02F1/1362
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 彭久云;马高平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明公开了一种电容器及制造电容器的方法、半导体装置和液晶显示装置。该电容器包括被顺序地堆叠的第一电极、介电层和第二电极。该介电层具有包括预定数目的铪氧化物亚层和预定数目的钽氧化物亚层的堆叠层结构。亚层的数目、材料和厚度被确定以使得厚度比率有一范围,在该范围内,在显示施加在第一电极和第二电极之间的电压和漏电流之间的关系的电压-漏电流特性中,当堆叠层结构中预定数目的钽氧化物亚层的总厚度与介电层的总厚度的比率变化时,开始电压满足3[MV/cm]或更高的电场强度的条件,以及预定数目的钽氧化物亚层的总厚度与介电层的总厚度的比率在一个厚度比率范围以使得开始电压在所述范围内。
搜索关键词: 电容器 制造 方法 半导体 装置 液晶 显示装置
【主权项】:
1.一种电容器,包括:顺序堆叠的第一电极、介电层以及第二电极,其中所述介电层具有包括预定数目的铪氧化物亚层和预定数目的钽氧化物亚层的堆叠层结构,和所述堆叠层结构中的亚层的数目、亚层的材料和亚层的厚度被确定来得所述预定数目的钽氧化物亚层的总厚度和所述介电层的总厚度的比率有一范围,在所述范围内,在显示施加在所述第一电极和所述第二电极之间的电压和漏电流之间的关系的电压-漏电流特性中,当所述堆叠层结构中所述预定数目的钽氧化物亚层的总厚度与所述介电层的总厚度的比率变化时,开始电压满足3MV/cm或更高的电场强度的条件,在所述开始电压电流增加相对于电压增加的斜率在施加的电压低于介电击穿电压的电压范围内开始整体上不连续地增加,以及所述预定数目的钽氧化物亚层的总厚度与所述介电层的总厚度的比率在一个厚度比率范围以使得所述开始电压在所述范围内。
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