[发明专利]电容器及制造电容器的方法、半导体装置和液晶显示装置无效
申请号: | 200710138292.5 | 申请日: | 2007-08-03 |
公开(公告)号: | CN101118903A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 足立研;堀内悟志 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L27/12;H01L21/02;H01L21/316;H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 彭久云;马高平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种电容器及制造电容器的方法、半导体装置和液晶显示装置。该电容器包括被顺序地堆叠的第一电极、介电层和第二电极。该介电层具有包括预定数目的铪氧化物亚层和预定数目的钽氧化物亚层的堆叠层结构。亚层的数目、材料和厚度被确定以使得厚度比率有一范围,在该范围内,在显示施加在第一电极和第二电极之间的电压和漏电流之间的关系的电压-漏电流特性中,当堆叠层结构中预定数目的钽氧化物亚层的总厚度与介电层的总厚度的比率变化时,开始电压满足3[MV/cm]或更高的电场强度的条件,以及预定数目的钽氧化物亚层的总厚度与介电层的总厚度的比率在一个厚度比率范围以使得开始电压在所述范围内。 | ||
搜索关键词: | 电容器 制造 方法 半导体 装置 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种电容器,包括:顺序堆叠的第一电极、介电层以及第二电极,其中所述介电层具有包括预定数目的铪氧化物亚层和预定数目的钽氧化物亚层的堆叠层结构,和所述堆叠层结构中的亚层的数目、亚层的材料和亚层的厚度被确定来得所述预定数目的钽氧化物亚层的总厚度和所述介电层的总厚度的比率有一范围,在所述范围内,在显示施加在所述第一电极和所述第二电极之间的电压和漏电流之间的关系的电压-漏电流特性中,当所述堆叠层结构中所述预定数目的钽氧化物亚层的总厚度与所述介电层的总厚度的比率变化时,开始电压满足3MV/cm或更高的电场强度的条件,在所述开始电压电流增加相对于电压增加的斜率在施加的电压低于介电击穿电压的电压范围内开始整体上不连续地增加,以及所述预定数目的钽氧化物亚层的总厚度与所述介电层的总厚度的比率在一个厚度比率范围以使得所述开始电压在所述范围内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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