[发明专利]半导体装置

摘要

本发明提供能够抑制作用于插在半导体元件和两电极端子之间的接合构件的最大温度和温度变化幅度，提高相对于温度变化的热疲劳寿命的半导体装置。本发明的半导体装置构成为，在半导体芯片和引线电极体之间设置接合构件，将半导体芯片与引线电极体接合，在半导体芯片和支撑电极体之间配设热应力缓和体，分别在该热应力缓和体、半导体芯片和支撑电极体之间设置接合构件，将第一热应力缓和体与支撑电极体接合，第二热应力缓和体由热膨胀系数具有半导体芯片和引线电极体的各热膨胀系数之间的值的特性的材料形成，第一热应力缓和体由热膨胀系数具有半导体芯片和支撑电极体的各热膨胀系数之间的值的特性，并且热传导率具有50～300W/(m·℃)特性的材料形成。

主权项

1.一种半导体装置，具有半导体芯片、引线电极体和支撑电极体，在半导体芯片和引线电极体之间配设有第二热应力缓和体，在该第二热应力缓和体、半导体芯片和引线电极体之间分别设置有接合构件，将第二热应力缓和体与引线电极体接合，在半导体芯片和支撑电极体之间配设有第一热应力缓和体，在该第一热应力缓和体、半导体芯片和支撑电极体之间分别设置有接合构件，将第一热应力缓和体与支撑电极体接合，第二热应力缓和体由热膨胀系数具有半导体芯片和引线电极体的各热膨胀系数之间的值的特性的材料形成，第一热应力缓和体由热膨胀系数具有半导体芯片和支撑电极体的各热膨胀系数之间的值的特性，并且热传导率具有50～300W/(m·℃)的特性的材料形成。