[发明专利]具有增强的薄膜半导体层的柔性显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200710129230.8 | 申请日： | 2007-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101097854A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 金秉濬;梁成勋;崔在镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L21/205;H01L21/324;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及具有增强的薄膜半导体层的柔性显示装置及其制造方法，包括通过RF溅射在柔性塑料基板上形成阻挡层，在塑料基板上形成非晶硅层，以及使非晶硅层经受快速热处理从而改善非晶硅层的电特性和/或均一性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 薄膜 半导体 柔性 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造方法，包括：通过化学气相沉积工艺在塑料基板之上沉积非晶硅层；以及使至少非晶硅层的区域经受快速热处理从而加强大部分剩余的氢和/或其它不希望有的元素的移除，同时不实质上不利地影响塑料基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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