[发明专利]半导体器件及其制作方法无效
| 申请号： | 200710110127.9 | 申请日： | 2003-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101075582A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 满田胜弘;本多光晴;饭塚朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/306 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种包括改善电流驱动特性(增大漏极电流)的场效应晶体管半导体器件的制作方法，包括以下步骤：在从作为半导体衬底的硅层主表面向其内部离子注入杂质来制作与栅电极对准的半导体区的步骤之前，从作为半导体衬底的硅层主表面向其内部离子注入IV族元素，其深度浅于在制作半导体区的步骤中杂质的注入深度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体器件的方法，该半导体器件包含制作在半导体衬底主表面第一区中的n沟道导电型场效应晶体管，和制作在不同于半导体衬底主表面第一区的第二区中的p沟道导电型场效应晶体管，此方法包括以下步骤：制作具有应力的绝缘膜，使之覆盖制作在第一区上的第一栅电极和制作在第二区上的第二栅电极；对栅绝缘膜进行各向异性腐蚀来制作第一栅电极侧壁上的第一侧壁隔层和第二栅电极侧壁上的第二侧壁隔层；以及在掩蔽第一区的状态下对第二区离子注入IV族元素来破坏第二侧壁隔层的结晶性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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