[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开一种金属氧化物半导体晶体管及其制作方法。一种制作金属氧化物半导体晶体管的方法，包括首先提供半导体基底，半导体基底上包含有栅极结构、源极区域与漏极区域。然后，在半导体基底上形成应力缓冲层，并覆盖在栅极结构、源极区域与漏极区域上。之后，再在应力缓冲层上形成应力覆盖层，且应力覆盖层的伸张应力值大于应力缓冲层的伸张应力值。由于应力缓冲层可以避免应力覆盖层断裂，因此本发明可在金属氧化物半导体晶体管上覆盖具有极高伸张应力的应力覆盖层。

主权项

1.一种制作金属氧化物半导体晶体管的方法，包含有：提供半导体基底，该半导体基底上定义有第一有源区域与第二有源区域，该第一与该第二有源区域上分别包含有栅极结构，各该栅极结构相对两侧的该半导体基底中各具有源极区域与漏极区域；进行自对准金属硅化物工艺；在该半导体基底上形成应力缓冲层，并覆盖该栅极结构、该源极区域与该漏极区域上；以及在该应力缓冲层上形成应力覆盖层，且该应力覆盖层的伸张应力值大于该应力缓冲层的伸张应力值。