[发明专利]半导体衬底和半导体器件以及该半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710101311.7 | 申请日： | 2007-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101071790A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 隈川隆博 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/301;B28D5/00;B23K26/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 沈昭坤 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种按各个半导体器件分割半导体衬底时能改善加工节拍而不降低分割质量的半导体衬底。半导体衬底(1)在纵向和横向栅格状地形成具有隔膜结构的多个半导体元件(2)，并利用各向异性蚀刻仅在将半导体元件(2)各个分开的正交的分割线(4)中一平行分割线(4)上连续，形成V槽(3)。根据此组成，形成V槽(3)的分割线(4)的部分的半导体衬底(1)的厚度薄，成为切口状，能形成进行基于解理等的分割时的应力容易集中的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体衬底，其特征在于，在纵向和横向栅格状地形成多个构成半导体器件的半导体元件，，并为了将所述多个半导体元件各个分割，在所述纵向和横向设置分割线，其中仅在所述纵向和横向分割线中一方向的平行分割线上连续形成槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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