[发明专利]半导体衬底和半导体器件以及该半导体器件的制造方法

权利要求书

1、一种半导体衬底，其特征在于，

在纵向和横向栅格状地形成多个构成半导体器件的半导体元件，，并为了将所述多个半导体元件各个分割，在所述纵向和横向设置分割线，其中

仅在所述纵向和横向分割线中一方向的平行分割线上连续形成槽。

2、如权利要求1中所示的半导体衬底，其特征在于，

沿所述分割线分割而形成的半导体器件具有隔膜结构。

3、如权利要求1或2中所示的半导体衬底，其特征在于，

在所述分割线上形成的槽是V槽。

4、一种半导体器件的制造方法，从半导体衬底，将多个构成半导体器件的半导体元件各个分割以制造半导体器件，该半导体衬底在纵向和横向栅格状地形成多个构成半导体器件的半导体元件，，并为了将所述多个半导体元件各个分割，在所述纵向和横向设置分割线，其特征在于，该半导体器件的制造方法具有以下工序：

利用蚀刻仅在所述纵向和横向分割线中一方向的平行分割线上连续形成槽的工序；

沿所述纵向和横向的分割线分别对所述半导体衬底的内部对准焦点并照射激光，从而在半导体衬底内部形成改性区的工序；以及

通过对所述半导体衬底施加外力，沿纵向和横向的分割线分割半导体衬底，从而形成各个半导体器件的工序。

5、如权利要求4中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述半导体衬底的内部形成改性区的工序中，沿形成所述槽的分割线进行激光扫描的次数少于沿没有槽的分割线进行激光扫描的次数。

6、如权利要求5中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

利用在所述半导体衬底形成隔膜结构的各向异性蚀刻，同时进行利用蚀刻仅在所述一方向的平行分割线上连续形成槽的工序。

7、如权利要求4中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

利用在所述半导体衬底形成隔膜结构的各向异性蚀刻，同时进行利用蚀刻仅在所述一方向的平行分割线上连续形成槽的工序。

8、如权利要求4中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述分割线形成的槽为V槽。

9、如权利要求5中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述分割线形成的槽为V槽。

10、如权利要求6中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述分割线形成的槽为V槽。

11、如权利要求7中所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述分割线形成的槽为V槽。

12、一种半导体器件，其特征在于，

利用权利要求4至11中任一项所述的半导体器件的制造方法进行制造，其中

仅对在各个半导体器件背面侧对置的2条边进行倒角。

13、如权利要求12中所述的半导体器件，其特征在于，

在所述半导体器件内形成隔膜结构。

14、如权利要求13中所述的半导体器件，其特征在于，

所述形成倒角的对置的2条边是所述半导体器件的长边。

15、如权利要求11中所述的半导体器件，其特征在于，

所述形成倒角的对置的2条边是所述半导体器件的长边。