[发明专利]半导体集成电路及其制造方法、使用该电路的半导体装置

摘要

在半导体衬底中形成通孔的工序或对半导体衬底从背面进行抛光的工序需要非常长的时间，这成为产率降低的原因。另外，由于层叠有半导体衬底，所以被层叠而形成的半导体集成电路变厚，机械柔软性低。本发明的技术要点如下：在多个衬底上形成剥离层，并在剥离层上形成半导体元件及用来形成贯穿布线的开口部。然后，从衬底剥离具有半导体元件的层并层叠它们，并通过在开口部中形成具有导电性的层形成贯穿布线，以制造半导体集成电路。

主权项

1.一种半导体集成电路的制造方法，包括如下步骤：在第一衬底上形成具有第一半导体元件的第一元件形成层，该第一半导体元件包括第一半导体层和夹住所述第一半导体层的第一绝缘层；在第二衬底上形成剥离层；在所述剥离层上形成包括开口部和第二半导体元件的第二元件形成层，该第二半导体元件包括第二半导体层和夹住所述第二半导体层的第二绝缘层；从所述第二衬底分离所述第二元件形成层；在所述第一元件形成层上配置所述第二元件形成层；以及在所述开口部中形成布线，并电连接所述第一元件形成层和所述第二元件形成层。